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400-68-17025

產(chǎn)品名稱:場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡

產(chǎn)品型號(hào):Sigma 560

產(chǎn)品品牌:Zeiss 蔡司

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  • 產(chǎn)品詳情

Sigma 560 場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡

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對(duì)實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析
 

對(duì)實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析

EDS:通用、高速,助您深入研究

  • Sigma 560的先進(jìn)EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì)可提高分析效率。兩個(gè)180°徑向相對(duì)的EDS端口確保了即使在低電壓小束流條件下,也能實(shí)現(xiàn)高通量無陰影元素分布成像。
  • 樣品倉(cāng)的附加EBSD和WDS端口不局限于滿足EDS分析。
  • 不導(dǎo)電樣品也可以使用全新的NanoVP lite模式進(jìn)行分析,并能獲得更強(qiáng)的信號(hào)和更高的襯度。
  • 全新的aBSD4探測(cè)器可輕松實(shí)現(xiàn)表面形貌復(fù)雜樣品的圖像采集。

技術(shù)

Gemini光學(xué)鏡筒截面示意圖,包含電子束推進(jìn)器、Inlens探測(cè)器和Gemini物鏡。
Gemini光學(xué)鏡筒截面示意圖,包含電子束推進(jìn)器、Inlens探測(cè)器和Gemini物鏡。

Gemini 1的光學(xué)系統(tǒng)

Gemini 1的光學(xué)系統(tǒng)由三個(gè)元件組成:物鏡、電子束推進(jìn)器和具有Inlens探測(cè)原理的探測(cè)器。其中,物鏡的設(shè)計(jì)將靜電場(chǎng)與磁場(chǎng)的作用力相結(jié)合,大大優(yōu)化光學(xué)性能的同時(shí),降低了樣品所處的場(chǎng)影響。如此也可實(shí)現(xiàn)對(duì)磁性材料等具有挑戰(zhàn)性的樣品的高品質(zhì)成像。Inlens探測(cè)原理通過對(duì)二次電子(SE)和/或背散射電子(BSE)的探測(cè)來確保高效的信號(hào)檢測(cè),同時(shí)大幅縮短獲取圖像的時(shí)間。電子束推進(jìn)器保證了小尺寸的電子束斑和高信噪比。
Sigma的Gemini 1光學(xué)鏡筒與探測(cè)器。1 Inlens探測(cè)器,SE或Duo。2 ETSE探測(cè)器、3 VPSE、4 C2D、5 aSTEM、6/7 高級(jí)EDS探測(cè)和不同的背散射探測(cè)器,如aBSD1。
Gemini 1光學(xué)鏡筒與探測(cè)器截面示意圖

靈活探測(cè)

Sigma配備了一系列不同的探測(cè)器,通過新探測(cè)技術(shù)對(duì)您的樣品進(jìn)行表征。使用ETSE和Inlens探測(cè)器的高真空模式可獲取表面形貌的高分辨率信息。使用VPSE或C2D探測(cè)器的可變壓力模式可獲得清晰圖像。使用aSTEM探測(cè)器可進(jìn)行高分辨率透射電子成像。?采用不同的可選BSE探測(cè)器(如aBSD探測(cè)器)可以深入研究樣品的成分和表面形貌。  
標(biāo)準(zhǔn)VP |模式,氣體分布(粉紅色),電子束裙邊(綠色)。
NanoVP lite模式,氣體分布
標(biāo)準(zhǔn)VP(左)和NanoVP lite(右)模式,氣體分布(粉紅色),電子束裙邊(綠色)。

NanoVP lite模式

采用NanoVP lite模式進(jìn)行分析和成像,在低電壓條件下可獲得更高的圖像質(zhì)量,更快速地獲取更準(zhǔn)確的分析數(shù)據(jù)。

● 在NanoVP lite模式下,裙邊效應(yīng)降低且入射束流的路徑長(zhǎng)度(BGPL)減小。裙邊減小會(huì)提高SE和BSE成像的信噪比。

● 帶有五段圓弧的伸縮式aBSD可提供出色的材料成分襯度:在NanoVP lite工作過程中,該探測(cè)器配備了安裝在極靴下方的束流套管,其可提供高通量及低電壓的成分和表面形貌高襯度成像,適用于可變壓力和高真空條件。

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應(yīng)用

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材料科學(xué)

探索聚合物、纖維、二硫化鉬等材料樣品的圖像。

對(duì)聚苯乙烯樣品表面進(jìn)行斷裂,以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力

對(duì)斷裂的聚苯乙烯樣品表面進(jìn)行成像,以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力。 Sigma 560, 3 kV,60 Pa樣品倉(cāng)壓力下的NanoVP lite模式,C2D G2。

 
用于藥物傳遞的MSC膠囊(中空介孔二氧化硅)。
由德國(guó)科隆大學(xué)無機(jī)化學(xué)研究所的V. Brune博士提供。

用于藥物傳遞的MSC膠囊(中空介孔二氧化硅)。背散射成像顯示了二氧化硅納米膠囊中的氧化鐵顆粒。Sigma 560,HDBSD,5 kV。

以低電壓成像的碳納米管(CNT)。

以低電壓成像的碳納米管(CNT)。Sigma 560,500 V,Inlens SE探測(cè)器。

氧化鋁(Al2O3)球體,在500 V表面信息敏感條件下高分辨率成像,可以看到燒結(jié)顆粒的表面梯度。

氧化鋁(Al2O3)球體。在500 V表面信息敏感條件下高分辨率成像,可以看到燒結(jié)顆粒的表面梯度,某些梯度之間的距離僅為3 nm。Sigma 560,500 V,Inlens SE。

電池正極鋁箔顆粒表面。

電池正極鋁箔顆粒表面。利用材料成分襯度識(shí)別Li-NMC上的粘合劑(較暗的材料),使用aBSD成像。

利用化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)在Si/SiO2基材上生長(zhǎng)的MoS2 2D晶體:RISE圖像呈現(xiàn)出MoS2晶體的褶皺和重疊部分(綠色)、多層(藍(lán)色)及單層(紅色)結(jié)構(gòu),圖像寬度32 μm。

利用化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)在Si/SiO2基材上生長(zhǎng)的MoS2?2D晶體:RISE圖像呈現(xiàn)出MoS2晶體的褶皺和重疊部分(綠色)、多層(藍(lán)色)及單層(紅色)結(jié)構(gòu),圖像寬度32?μm。

生命科學(xué)

了解更多有關(guān)原生動(dòng)物或真菌的微觀和納米結(jié)構(gòu)信息,獲取切面樣品或薄片上的超微結(jié)構(gòu)。

在1 kV高真空條件下,使用ETSE探測(cè)器輕松完成放射蟲精細(xì)鏤空結(jié)構(gòu)成像,圖像寬度183 μm。

在1 kV高真空條件下,使用ETSE探測(cè)器輕松完成放射蟲精細(xì)鏤空結(jié)構(gòu)成像,圖像寬度183 μm。

在1 kV高真空條件下對(duì)蘑菇真菌孢子成像。使用Sigma 500可以在低電壓下對(duì)這些精巧脆弱的結(jié)構(gòu)輕松成像。

在1 kV高真空條件下對(duì)蘑菇真菌孢子成像。使用Sigma 500可以在低電壓下對(duì)這些精巧脆弱的結(jié)構(gòu)輕松成像。

Tricellaria inopinata
由挪威卑爾根大學(xué)薩斯海洋分子生物學(xué)中心的Anna Seybold和Harald Hausen提供。固著海洋生物苔蘚蟲Tricellaria inopinata的超微結(jié)構(gòu),觀察視野為30 μm。使用蔡司Sigma 560采集,Sense BSD探測(cè)器,1 kV,30 pA。
使用連續(xù)切面成像的三維大腦超微結(jié)構(gòu)
由UCL眼科研究所的Peter Munro博士和Hannah Armer提供。

使用連續(xù)切面成像技術(shù)自動(dòng)采集的3D大腦超微結(jié)構(gòu)。星形細(xì)胞(青色)被識(shí)別和分割。

地球科學(xué)與自然資源

探索巖石、礦石和金屬。

 
在20 kV下使用YAG-BSD成像的巖石樣品,由于YAG晶體的光傳導(dǎo)性能可高速采集圖像。

在20 kV下使用YAG-BSD成像的巖石樣品,由于YAG晶體的光傳導(dǎo)性能可高速采集圖像。

硫化鎳礦石。礦物EDS面分布圖,圖像寬度3.1 mm。樣品由英國(guó)萊徹斯特大學(xué)提供。

硫化鎳礦石。礦物EDS面分布圖,圖像寬度3.1 mm。樣品由英國(guó)萊徹斯特大學(xué)提供。

鐵礦石礦物分析:鐵礦石礦物的拉曼光譜分析,掃描電子顯微鏡圖像和拉曼圖疊加。(赤鐵礦為紅色、藍(lán)色、綠色、橙色和粉紅色;針鐵礦為淡藍(lán)色)。

鐵礦石礦物分析:鐵礦石礦物的拉曼光譜分析,掃描電子顯微鏡圖像和拉曼圖疊加。(赤鐵礦為紅色、藍(lán)色、綠色、橙色和粉紅色;針鐵礦為淡藍(lán)色)。

鐵礦石礦物分析,拉曼光譜:赤鐵礦光譜的差異表征了其晶體取向的不同。(赤鐵礦為紅色、藍(lán)色、綠色、橙色和粉紅色;針鐵礦為淡藍(lán)色)。

鐵礦石礦物分析,拉曼光譜:赤鐵礦光譜的差異表征了其晶體取向的不同。(赤鐵礦為紅色、藍(lán)色、綠色、橙色和粉紅色;針鐵礦為淡藍(lán)色)。

含石榴石片麻巖的定量EDS主要元素?zé)釄D(Ca),突出了關(guān)鍵礦物中的地球化學(xué)分區(qū)。

含石榴石片麻巖的定量EDS主要元素?zé)釄D(Ca),突出了關(guān)鍵礦物中的地球化學(xué)分區(qū)。

工業(yè)應(yīng)用

了解如何對(duì)金屬、合金和粉末進(jìn)行研究。

非導(dǎo)電二氧化鈦納米顆粒

在40?Pa可變壓力模式下,使用C2D探測(cè)器輕松完成對(duì)顏料和遮光劑用非導(dǎo)電二氧化鈦顆粒的成像,圖像寬度10?μm。

在20 kV的暗場(chǎng)模式下,使用aSTEM探測(cè)器對(duì)25 – 50 nm氧化鐵顆粒成像。

在20 kV的暗場(chǎng)模式下,使用aSTEM探測(cè)器對(duì)25 – 50 nm氧化鐵顆粒成像。

在1 kV下使用aBSD對(duì)超導(dǎo)合金樣品成像。

在1 kV下使用aBSD對(duì)超導(dǎo)合金樣品成像。(比例尺20 μm)

氧化鋅枝晶

氧化鋅枝晶:檢測(cè)儲(chǔ)能系統(tǒng)電極的形態(tài)變化。Sigma,ETSE,5 kV。

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